製品案内エキシマレーザーグレード
エキシマレーザーグレード
～高透過率・高耐久性のCaF2～
情報化社会を支える半導体の製造システム。その中心にある半導体露光装置は、微細な回路を描画するために非常に波長の短い真空紫外レーザー(ArFレーザー、KrFレーザー）を用います。これらのレーザーは短波長であり、かつエネルギー密度が非常に高いため、石英よりもレーザー耐久性のあるCaF2が使われます。
当社では、半導体露光装置に最適な、高透過率・高耐久性のCaF2を用いたレーザー用光学材料として、エキシマレーザーグレードを販売しています。
用途：
半導体露光装置、紫外線域レーザーの窓材
※通常の紫外領域(UV領域)向けのCaF2も取り扱っておりますので、お気軽にご相談ください。
屈折率
| 波長(nm)(真空中) | 窒素に対する屈折率 (22℃ 1013.25hPa) |
|
|---|---|---|
| 780.237 | 1.430740 | |
| 706.714 | [r] | 1.431662 |
| 656.454 | [C] | 1.432450 |
| 632.990 | 1.432877 | |
| 587.725 | [d] | 1.433838 |
| 546.227 | [e] | 1.434926 |
| 468.269 | [F] | 1.437006 |
| 435.957 | [g] | 1.439460 |
| 404.770 | [h] | 1.441479 |
| 365.119 | [i] | 1.444880 |
| 334.224 | 1.448480 | |
| 289.444 | 1.456169 | |
| 253.728 | 1.465981 | |
| 228.872 | 1.476360 | |
| 214.506 | 1.484561 | |
| 206.266 | 1.490317 | |
| 194.227 | 1.500597 | |
| 184.950 | 1.510557 |
測定精度
780.237nm～365.119nm ±1×10-6
334.244nm～206.266nm ±3×10-6
194.227nm、184.950nm ±5×10-6
レーザー耐久性
ArFエキシマレーザーを照射しても透過率がほとんど変化しません。
照射条件
30mJ/cm2 13ns(FWHM)
2×105 shots
セルマイヤーの分散式
n2-1=A1λ2/(λ2-B1)+A2λ2/(λ2-B2)+A3λ2/(λ2-B3)
- A1
- 6.254288046×10-1
- A2
- 4.132684951×10-1
- A3
- 3.409193892
- B1
- 2.813183822×10-3
- B2
- 1.066206606×10-2
- B3
- 1.065596428×103
22℃、1013.25hPa、窒素中