製品案内エキシマレーザーグレード

エキシマレーザーグレード
~高透過率・高耐久性のCaF2

情報化社会を支える半導体の製造システム。その中心にある半導体露光装置は、微細な回路を描画するために非常に波長の短い真空紫外レーザー(ArFレーザー、KrFレーザー)を用います。これらのレーザーは短波長であり、かつエネルギー密度が非常に高いため、石英よりもレーザー耐久性のあるCaF2が使われます。
当社では、半導体露光装置に最適な、高透過率・高耐久性のCaF2を用いたレーザー用光学材料として、エキシマレーザーグレードを販売しています。

用途:
半導体露光装置、紫外線域レーザーの窓材

※通常の紫外領域(UV領域)向けのCaF2も取扱っておりますので、ご気軽にご相談ください。

屈折率

波長(nm)(真空中) 窒素に対する屈折率
(22℃ 1013.25hPa)
780.237 1.430740
706.714 [r] 1.421662
656.454 [C] 1.432450
632.990 1.432877
587.725 [d] 1.433838
546.227 [e] 1.434926
468.269 [F] 1.437006
435.957 [g] 1.439460
404.770 [h] 1.441479
365.119 [i] 1.444880
334.224 1.448480
289.444 1.456169
253.728 1.465981
228.872 1.476360
214.506 1.484561
206.266 1.490317
194.227 1.500597
184.950 1.510557

測定精度
780.237nm~365.119nm ±1x10-6
334.244nm~206.266nm ±3x10-6
194.227nm、184.950nm ±5x10-6

レーザー耐久性

ArFエキシマレーザーを照射しても透過率がほとんど変化しません。

照射条件
30mJ/cm2 13ns(FWHM)
2x105 shots

セルマイヤーの分散式

n2-1=A1λ2/(λ2-B1)+A2λ2/(λ2-B2)+A3λ2/(λ2-B3)

A1
6.254288046E-01
A2
4.132684951E-01
A3
3.409193892E+00
B1
2.813183822E-03
B2
1.066206606E-02
B3
1.065596428E+03

22℃、1013.25hPa、窒素中

可視 / 赤外グレード